氮化硅LPCVD流片(XF-WSBX-2500183)延期公告
2025-05-30
浙江/杭州
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氮化硅LPCVD流片(XF-WSBX-2500183)延期公告
浙江/杭州-2025-05-30 00:00:00
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氮化硅*****流片(***************)延期公告
发布时间:********** **:**:**阅读量:**次
延期信息
延期理由: | 由于该项目报价情况不满足要求,本项目延期至********** **:** 因报价情况不满足要求,采购方决定延期 |
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项目名称 | 氮化硅*****流片 | 项目编号 | *************** |
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公告开始日期 | ********** **:**:** | 公告截止日期 | ********** **:**:** |
采购单位 | 浙江大学 | 付款方式 | 货到付款,甲方在到货验收后**日内向乙方一次性支付本项目的总额 |
联系人 | 成交后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 成交后在我参与的项目中查看 |
签约时间要求 | 成交后*个工作日内 | 到货时间要求 | |
预算总价 | ¥***,***.** + + 未公布 | ||
收货地址 | |||
供应商资质要求 |
符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 |
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公告说明 | 由于该项目报价情况不满足要求,本项目延期至********** **:** |
采购清单*
采购商品 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
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氮化硅*****流片 | * | 张 | 电子、通信与自动控制技术研究服务 无 无 |
品牌 品牌* | |
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型号 | |
品牌* | |
型号 | |
品牌* | |
型号 | |
预算单价 | ¥**,***.** |
技术参数及配置要求 |
*.***** *****厚度*** **,退火后最小**:*** **,最小***:*** **。**线宽控制:***±** **;*****侧壁角度:>**°。 *.在*** ** *****上进行刻蚀,刻蚀深度*** **,套刻精度:** **。**** 厚度:***±** **,*****厚度:***±** ** *.*****上进行****填充,≥*** **的***需要保证****填充完整。 *.***方块电阻中心和边缘的均值:**.****/**。最小**:*μ* 。 *.*****单模波导(*μ*宽度)传输损耗:≈*.***/**(@******) ≈*.***/**(@******)。 *.端面耦合(*波段,*******μ*):**:****<***/*****,**:****<*.***/*****。 *.******(*波段):损耗≈*.*** ,不平衡度<*.***。 *.********(*波段):损耗≈*.***。 浙江大学 ********** **:**:** |
附件下载:
请各位供应商慎重报价,确认完全符合采购人商务、技术要求后再进行报价。且供应商响应的商务、技术要求须与采购人提出的商务、技术要求完全一致,不允许负偏离,亦不可正偏离。成交后,以任何理由不签署合同,或者签署合同后不按照合同履约,均将列入陕西师范大学供应商违规失信行为名单,三年内禁止参加陕师大非政府采购项目。若因此引起法律纠纷,请向陕西省西安市雁塔区人民法院提起诉讼。