LPCVD沉积磷掺杂多晶硅工艺服务(202504300005)结果公示
2025-05-06
浙江/宁波
中标结果
LPCVD沉积磷掺杂多晶硅工艺服务(202504300005)结果公示
浙江/宁波-2025-05-06 00:00:00
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*****沉积磷掺杂多晶硅工艺服务(************)结果公示
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独家采购公示一、采购人: 光电 **** 研究中心二、项目名称:*****沉积磷掺杂多晶硅工艺服务三、采购内容:*****沉积磷掺杂多晶硅工艺服务四、采购预算:*.****万元五、独家采购的说明:*.因光电 **** 研究中心开展研究项目需要,需要定制并采购一批“*****沉积磷掺杂多晶硅工艺服务”,用于器件制备。*.本次采购的“***** 沉积磷掺杂多晶硅工艺服务”根据器件工艺设计定制,主要流程及要求包括:*)****(金属前)腐蚀*** 常温腐蚀 ***,腐蚀掉硅表面自然氧化层。*)***** 沉积磷掺杂多晶硅原位掺杂含磷多晶硅 ******,要求多晶硅电阻率不大于*.**Ω·**。防止单晶硅表面再被氧化,*** 腐蚀清洗后需尽快将 ***晶圆放进 ***** 炉管,并且加入 *~* 片双面氧化片作为测试陪片。*)掺杂多晶硅退火
***°*,氮气环境,*****。退火后测试陪片上掺杂多晶硅膜的厚度、方块电阻以及应力类型和大小。根据以上要求展开调研工作,仅有中科院上海微系统所 ****工艺技术平台提供的方案可以完全符合我方要求。*.中科院上海微系统所 **** 工艺技术平台在 ***** 掺杂多晶硅工艺领域具有深厚的技术沉淀与丰富的工艺经验。其***** 掺杂多晶硅工艺稳定性高,能够确保每批次产品的一致性和可靠性。更为关键的是,该工艺技术指标完全满足本项目器件的设计要求,所制备的磷掺杂多晶硅材料电阻率不大于*.**Ω·**。因此,中科院上海微系统所 **** 工艺技术平台的技术与服务可以完全满足我方要求,故实行独家采购六、拟成交供应商信息:中国科学院上海微系统与信息技术研究所地址:上海市长宁路***号七、公示期限:从****年**月*日至****年**月**日止。八、对本次采购提出异议,请按以下方式联系:对公示内容有异议的,可在公告期内以有效形式提出:联系人:陈老师联系方式:********* ****联系邮箱:********@****.**.**投诉联系人:朱老师
投诉联系方式:********* ****投诉联系邮箱:*******@****.**.**
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