*. 供应商已发布成熟的晶圆级薄膜铌酸锂光芯片***，具备标准化量产能力，甲方基于***开展芯片设计。 *. 供应商晶圆级薄膜铌酸锂微纳工艺应处于国内领先水平，须有三年以上的标准化代工经验，以确保工艺稳定性以及芯片性能稳定性。 *. 已发布的***器件指标满足：脊形波导损耗≤*.***/**，*×****损耗≤*.***，*×****损耗≤*.***，端面耦合器损耗*.*~*.***，波导交叉器损耗≤*.***；***调制器半波电压≤**，带宽＞*****，整体插损≤***；热移相器方阻约*.**Ω。 *. 基于***光刻工艺的硅基薄膜铌酸锂***流片，*****面积为***×****，交付数量为**个芯片***。 *. 具备 “薄膜铌酸锂 + *”异质集成光电共性技术平台，为甲方未来多材料体系异质集成技术拓展提供平台支撑。

*、版图提交后的**个工作日内完成加工； *、验收过程中，如服务工作及服务成果存在错误、缺陷或与约定不符的，立即采取纠正、补充或甲方要求的其他补救措施