材料素化研究所致力于利用缺陷调控产生变革型材料或技术，构建材料素化技术体系。磁控溅射技术是其中一种重要的技术手段，磁控溅射技术通过将靶材等离子化，在基片上实现原子级的生长，属于“自下而上”构筑晶体缺陷的技术手段。素化所目前已有一台“通用型”磁控溅射平台，经过一年多以来对于磁控溅射新技术的测试发现现有设备在一些功能上目前无法实现一些实验的要求。为进一步发展材料素化技术、丰富缺陷结构调控手段和能力，亟需采购新型磁控溅射设备，为探索晶界调控（晶界数量、能量、拓扑、分布、成分等）的极限、点缺陷调控等研究提供助力。

该设备属于真空镀膜技术（***），在真空室中，通过电场和磁场的共同作用，将氩气电离形成等离子体，其中磁场约束电子以延长其运动路径，从而提高电离效率；被电场加速的氩离子轰击靶材，使靶材原子被溅射出来，最终沉积在基片表面形成致密薄膜。

*.仪器的尺寸大小以及重量：***** * ***** * *****（**）;重**

*.气压：≥****

*.供电：三相电：******，****，三相四线制，三相输入总功率约****，至少有*个***四极插座（供电回路具有过载保护措施），三火一零，或者有*个***三相空气开关，至少有 *个***空气开关或插座。