【分散采购备案单】三维异构集成与垂直互连技术开发
2026-07-02
湖北/武汉 招标采购
【分散采购备案单】三维异构集成与垂直互连技术开发
湖北/武汉-2026-07-02 00:00:00
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【分散采购备案单】三维异构集成与垂直互连技术开发
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项目概况
| 项目名称 | 三维异构集成与垂直互连技术开发 | 项目编号 | ************** |
| 开始时间 | ********** **:** | 结束时间 | ********** **:** |
| 供应商资格要求 | 参照《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定的资格条件。 | 预算金额(元) | ******.** |
| 采购方式 | 竞价 | ||
采购服务信息列表
| 序号 | 货物(服务)名称 | 数量 | 计量单位 | 预算单价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 三维异构集成与垂直互连技术开发 | * | 片 | ****** | ||
| 技术参数 | 技术点指标要求测试/验证条件 晶圆衬底*英寸低阻硅衬底;厚度***±**μ*;电阻率 *.****.**Ω・**;(***)晶向、切边晶向 <110>,**.*μ*大平边、单抛;表面 **≤*.*μ*;***≤*μ*来料检验报告 ***₂薄膜制备厚度*****,均匀性≤*%膜厚仪检测数据 深硅刻蚀刻蚀深度***μ*,均匀性≤*%;刻蚀角度**°±*°,侧壁粗糙度<100nm ;刻蚀选择比si:pr>**:*、**:***₂>**:*工艺过程检测数据 ***₂填充沉积总厚度 *μ*,均匀性≤*%工艺过程检测数据 ******填充沉积总厚度 *μ*,均匀性≤*%;方块电阻< 10ω/□="" 工艺过程检测数据="" cmp="" 抛光后表面="" ra≤0.5nm,="" 抛光终止于="" sin="" 层="" 工艺过程检测数据="">100nm>110> | |||||
| 相关材料 | 参数指标**吴国强.**** | |||||
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