基于商用工艺（*.****体硅），进行探测器芯片流片，最终成品为**颗芯片，其工艺与器件需具备以下技术要求： *)提供**** ******** *.**µ* **** ******** *.*/*.**升级版工艺设计库； *)提供*********** **** *.**µ* *.**/*.** */*库 *)提供*********** **** *.**µ* ************ 标准单元库 *)支持*.**核心器件与*.** **器件； *)支持高阻电阻，***电容与顶层厚金属（~*.*** **）电感工艺； *)具备完整的数字电路单元库； *)支持四阱工艺：*阱，深*阱，*阱，深*阱，以满足探测器像素与周边电路的电学隔离，获得更好的电离电荷俘获效率与高信噪比； *)协助沟通晶圆减薄或芯片减薄（至~****，以获得全耗尽层）代工厂指定供应商； *)定制化开发***（******* ****** ***），全程***使用技术指导以及后期验证辅助： *)支持以上各个器件的***（****** **** ********），*** （****** **. *********），*** （********* **********）设计流程； *)支持四阱工艺的***，***和***设计流程；； *)定制化*****（************* ****），方便****（****** ******** ********* *****）或*****像素电路版图； **)设计监测定制化工艺电学参数的测试结构，例如晶体管阈值电压，饱和电流监测等等； **)二合一光罩或普通光罩； **)提供***（******* ******* **********）数据； 在满足上述工艺与器件要求的基础上进行流片。

售后服务： *）如需划片，需免费提供划片服务； 验收合格之日起质保一年。