*.参数如下： *. 芯片衰减器控制方式：*线数字***控制（***, *******, ********, *****)； *. 芯片功能：***度移相与衰减； *. 芯片封装：硅片裸片； *. 芯片焊盘单端输入，芯片焊盘单端输出，输入输出呈东西布局，芯片正面放置，射频输入在西侧，射频输出在东侧，数字控制在北侧，焊盘间距**微米； *. 芯片供电电压：*.**； *. 芯片控制电压：*.**； *. 芯片功耗：*； *. 芯片移相工作频率：*****~*****； **. 芯片*****~*****带内最大衰减：**.*** ~ **.***; **. 芯片移相状态位数：大于移相**状态； **. 芯片移相状态：***度相移; **. 芯片相移控制位数：*比特； **. 芯片移相最小步进：**.**度，移相误差（精度）小于*度； **. 芯片信号输入输出质量***:*****~********;*****, ***:*****~********;***** ； **. 芯片封装样式：裸片； **. 芯片大小：***水平面积***微米****微米，*轴芯片厚度***微米； **. 芯片工艺: ****工艺。

*. 按行业标准提供服务； *. 严格参数要求不得更改技术参数指标； *. 需要现货中标三日内供货； *. 提供货品时携带射频探针与直流探针，裸片*参数在探针台测试验证参数性能。