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镀铂(**)硅片
| **(片) | | 奥科亿 | ********** |
*、核心工艺:基于高规格单晶硅衬底,通过磁控溅射或电子束蒸发工艺进行表面镀铂。
*、基础参数
*.外形尺寸:*英寸(直径)
*.衬底材质:*型单晶硅,晶向(***)
*.结构厚度:硅衬底**µ*,表面铂层*****
*、硅衬底关键性能指标
*.几何精度:厚度偏差***;*µ*;表面粗糙度***;*.***
*.表面状态:热氧化层厚度***;***
*.电学特性:电阻率***;*.*Ω***^**;少数载流子寿命≥****µ*
*.杂质控制:氧含量≤*.**×**^** *****/**^*;碳含量 ≤*×**^*******/**^*
*、铂镀层质量指标
*.表面处理:单面抛光
*.镀层质量:粗糙度≤*.***;金属纯度≥**.**%
*、技术支持要求:需随产品提供基于此硅片的“低残留转移制备低维材料异质结”全套工艺文档,包括详细参数、步骤流程及具体操作实例。
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质量保证:本产品不提供质保期。
服务内容:中标供应商须提供上门送货及验收协助服务。
服务响应时间:中标供应商接到用户的售后通知后*个小时内响应,派工程师在**小时内到达用户现场进行问题处理,**小时内处理完毕。
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镀钯(**)硅片
| **(片) | | 奥科亿 | *********** |
*、核心工艺:基于高规格单晶硅衬底,通过磁控溅射或电子束蒸发工艺进行表面镀钯。
*、基础参数
*.外形尺寸:*英寸(直径)
*.衬底材质:*型单晶硅,晶向(***)
*.结构厚度:硅衬底**µ*,表面镀钯*****
*、硅衬底关键性能指标
*.几何精度:厚度偏差***;*µ*;表面粗糙度***;*.***
*.表面状态:热氧化层厚度***;***
*.电学特性:电阻率***;*.*Ω***^**;少数载流子寿命≥****µ*
*.杂质控制:氧含量≤*.**×**^** *****/**^*;碳含量≤*×**^*******/**^*
*、钯镀层质量指标
*.表面处理:单面抛光
*.镀层质量:粗糙度≤*.***;金属纯度≥**.**%
*、技术支持要求:需随产品提供基于此硅片的“低残留转移制备低维材料异质结”全套工艺文档,包括详细参数、步骤流程及具体操作实例。
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量保证:本产品不提供质保期。
服务内容:中标供应商须提供上门送货及验收协助服务。
服务响应时间:中标供应商接到用户的售后通知后*个小时内响应,派工程师在**小时内到达用户现场进行问题处理,**小时内处理完毕。
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镀钌*铂(*****)硅片
| **(片) | | 奥科亿 | ************ |
*、核心工艺:基于高规格单晶硅衬底,通过磁控溅射或电子束蒸发工艺进行表面镀钌*铂。
*、基础参数
*.外形尺寸:*英寸(直径)
*.衬底材质:*型单晶硅,晶向(***)
*.结构厚度:硅衬底**µ*,表面镀钌*铂*****(先镀钌,再镀铂)
*、硅衬底关键性能指标
*.几何精度:厚度偏差***;*µ*;表面粗糙度***;*.***
*.表面状态:热氧化层厚度***;***
*.电学特性:电阻率***;*.*Ω***^**;少数载流子寿命≥****µ*
*.杂质控制:氧含量≤*.**×**^** *****/**^*;碳含量≤*×**^*******/**^*
*、钌*铂镀层质量指标
*.表面处理:单面抛光
*.镀层质量:粗糙度≤*.***;金属纯度≥**.**%
*、技术支持要求:需随产品提供基于此硅片的“低残留转移制备低维材料异质结”全套工艺文档,包括详细参数、步骤流程及具体操作实例。
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质量保证:本产品不提供质保期。
服务内容:中标供应商须提供上门送货及验收协助服务。
服务响应时间:中标供应商接到用户的售后通知后*个小时内响应,派工程师在**小时内到达用户现场进行问题处理,**小时内处理完毕。
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