*.腔体：加热采用外置加热结构，反应腔体和反应腔盖外侧均有金属加热器，反应腔内侧无加热机构，防止冷凝。 *.样品台和载板：适用于*片最大不超过直径*英寸玻璃或硅片样品镀膜。 *.温度：基片温度上限不得超过***℃，****反应温度不超过***℃，控制精度±*℃； *.金属源：*路可加热直通源，配置高温快速***阀（响应时间＜****）、手动阀、≥****不锈钢源瓶，源瓶及管路加热温度******℃，控制精度±*℃； *.氧源：*路常温直通源，配置快速***阀（响应时间＜****）、手动阀、≥****不锈钢源瓶； *.预留*个金属源接口、*个臭氧接口； *.载气系统：*路**，高精度质量流量计控制，所有前驱体源管路采用**** **管路+***密封，并具有在线清洗功能； *.整机本底真空＜*.******，真空漏率＜******·*/*； *.真空管路：腔室抽气端真空管路具有加热功能，加热温度******℃； ***设备高度≤*****，腔室周边预留有和手套箱对接的法兰和*圈接口，以便与各大国产厂商的手套箱（箱体到地面高度＞*****）对接。对接方式：将***设备推入双工位标准手套箱底部后，通过升降脚架将设备整体升高，至设备法兰和和*圈与手套箱箱体底部法兰开口对准后，锁定升降脚架，是得***设备和手套箱大腔能够完成密封，***设备的反应腔室盖字能够以上开盖的形式开在手套箱内部。 ***在不大于直径*英寸尺寸的载板或样品台内放置碎硅片作为测试片，厂家提供工艺配方，沉积 *** 循环氧化锡，膜厚非均匀性**≤±*%为合格

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