近日，市发展改革委批复了关于拓荆创益高端半导体设备产业化基地建设项目《节能报告》审查意见。

建设规模及主要内容：

该项目总用地面积*****.**平方米，总建筑面积为******.**平方米，地上建筑面积为******.**平方米，地下建筑面积为****.**平方米。新建*栋建筑，包括*栋厂房（***#建筑和**#建筑）、*栋库房（*#建筑和*#建筑）、*栋厂房及库房（*#建筑）、*栋宿舍及食堂（*#建筑）、*栋门卫（**#建筑和**#建筑）、*栋连廊（**#建筑）。停车位***个，地上***个，地下***个。

项目建成后达产年年产薄膜设备****件，其中*****设备***件，沟槽填充薄膜工艺设备***件。

项目用能情况：该项目能源消耗种类为电力、天然气，耗能工质为新水（不计入总能耗）。

   项目年能源消费量合计当量值****.**吨标准煤，等价值*****.**吨标准煤。其中：电力消耗量为****.**万千瓦时，折合当量值****.**吨标准煤、等价值*****.**吨标准煤；天然气消耗量为*.**万立方米，折合**.**吨标准煤；新水消耗量为**.**万吨（不计入能耗）。