*** **标准晶圆搭载定制化存储芯片专用***电极阵列与互联结构，其表面各电极阵列均配置*个***公共电极及若干***独立电极，所有***电极向下衔接定制化独立单元结构，底层与晶圆衬底相连，***电极的电阻率介于****** μΩ·**之间，热导率介于**** */*·*之间。***独立电极采用直径****** **、高度** **的圆柱体设计，与单元结构直接连接，且***电极高度不低于周围氧化硅，高度差控制在* **以内；电极间隙填充****绝缘介质层，该介质层需满足介电常数*.***.*（* ***下）、击穿电场强度≥ ** **/**、表面粗糙度***值＜ *.* **的关键要求，确保绝缘性能与结构稳定性。定制化独立单元结构按从上至下顺序依次为** *****层、*** ****层及** *****层，通过**层重布线层（***）实现单元结构间高效电气互联，***线宽/线距需≤*/* μ*。晶圆加工工艺需满足***电极结构、独立单元结构及重布线层图形的最小线宽设计规则，其中重布线层最小线宽不大于* μ*，确保图形精度与器件长期可靠性。

(*) 质保期限为*年；(*) 提供优质的售后技术支持服务，开通热线电话接受甲方的电话技术咨询，如故障不能排除，须在**小时内提供解决方案和现场服务，待产品运行正常后撤离现场。如遇特殊情况，无法现场解决问题的，需提供备用货物服务保障正常工作。