*.工艺参数：基于**英寸标准硅晶圆、** ** ****工艺平台的纳米*（钨）基电极阵列晶圆片。须采用化学气相沉积（***）工艺，以保证电极质量，同时须实现深宽比不小于*:*的纳米结构填充。制备的纳米电极须满足以下关键指标：全晶圆范围内电极柱高度偏差≤±*%，特定规格电极直径偏差≤±*%，柱体垂直度偏差≤*°，侧壁粗糙度≤* **；圆柱形电极内部致密、无孔洞；电阻率介于******* μΩ·**之间；为确保界面可靠性，须环绕*电极与周围介质材料之间制备≤****厚的***（氮化钛）或**（氮化钨）粘附层，以有效增强结合力并阻止元素互扩散。 *.结构参数：单元结构中的电极须为圆柱体，圆柱体高度不低于******* **，且圆柱体直径须提供以** **为基准，在正负** **范围内至少三种可调规格的方案。各独立电极中心水平间距须控制在** μ*至*** μ*范围内，同时部分纳米电极在底部需具备电学互联能力。

(*) 质保期限为*年；(*) 提供优质的售后技术支持服务，开通热线电话接受甲方的电话技术咨询，如故障不能排除，须在**小时内提供解决方案和现场服务，待产品运行正常后撤离现场。如遇特殊情况，无法现场解决问题的，需提供备用货物服务保障正常工作。(*) 其他：若经过验证，交付晶圆样片的*电极及其他相关参数不符合要求，中标方应启动工艺根因分析，并基于分析结果免费重新优化***工艺参数、组织流片，确保再次交付的晶圆样片完全满足约定规格，若仍无法满足参数设计要求，则应承担由此造成的全部损失。