配置： *.最大可镀*英寸（Φ*****）*片或者均布其它规格小片；基片台配挡板、旋转，加热 *只*****圆形平面靶，*台电源，直流*台/射频*台 *.配负偏压电源 *.*路工艺气体 *.***手自动控制，触摸屏操作 参数：*.真空腔室：净空间尺寸不大于Φ***×******，要求前开门，前门需配备观察窗，观察窗玻璃尺寸不小于Φ****；配至少一套方便拆卸的防污隔板；腔室、法兰、管道、防污隔板等均采用***无磁不锈钢材质； *.真空系统：主泵分子泵抽速不小于******/*，双级旋片泵抽速不小于****/*，全量程数显复合真空计量程：*×***～*×******； *.▲真空极限：优于*.*×********； *.★抽速：抽至*.*×**** ****≤*****； *.▲基片台：根据客户要求定制的基片台，最大可处理基片不小于*英寸，基片台配一体式全尺寸挡板，挡板开合需要磁流体密封；基片台需要设计旋转：旋转速度****转/分连续可调，基片台旋转需要磁流体密封；基片台加热：***智能温控表，控温范围室温～***℃；配负偏压电源一台； *.★阴极靶：*只*英寸圆形平面靶，射频靶需采用原装进口品牌，靶头内部需采用全金属密封，不得采用胶圈密封，以满足超高真空应用。靶材安装不需要固定压环，暗区屏蔽装置高度低于靶材表面，减少对辉光区域的束缚，并降低靶材之外材料被同时溅射出来的几率。靶头可调整角度不小于±**°，可单靶轮流/多靶聚焦共溅射； *.溅射电源：直流电源*台，要求可切换恒压，恒流，恒功率控制模式，电源功率可以预先设置；射频电源*台，要求自动匹配； *.靶挡板：靶上有气动水平打开式挡板，角度与靶倾斜角度同步可调，要求磁流体密封； *.气路系统：不少于四路工艺气体*** 控制，量程范围需满足工艺制备金属、金属氧化物的需要； **.操控系统：***+触摸屏手自一体操控系统，触摸屏不小于**英寸，真空系统的控制分为手动和自动二种模式，自动模式下，根据腔内压强自动执行相关泵，阀的启闭；可远程监控，软件使用期限：永久有效； **.其它：冷却循环水机*台，制冷量不小于**；镀膜设备及外围设备（冷水机等）总占地面积不超过*平米。

质保*年